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Título: Modeling of light-sensitive resonant-tunneling-diode devices
Autor: Coelho, I. J. S.
Figueiredo, J. M. L.
Ironside, C. N.
Data: 2004
Citação: Coelho, I. J. S.; Figueiredo, José M. L.; Ironside, C.N.Modeling of light-sensitive resonant-tunneling-diode devices, Journal of Applied Physics, 95, 12, 8258-8263, 2004.
Resumo: We present a method to include the effects of light excitation on two different models of resonant-tunneling-diode-based devices. Our approach takes into account both photoconductive and charge accumulation effects responsible for shifting the static I –V curve when the structure is under light excitation. Computational simulations led to good agreement between the model and experimental results
Peer review: yes
URI: http://hdl.handle.net/10400.1/1184
ISSN: 00218979
Versão do Editor: http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v95/i12/p8258_s1?isAuthorized=no
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