Utilize este identificador para referenciar este registo: http://hdl.handle.net/10400.1/3273
Título: Switching in polymeric resistance random-access memories (RRAMS)
Autor: Gomes, Henrique L.
Benvenho, A. R. V.
De Leeuw, Dago M.
Cölle, M.
Stallinga, Peter
Verbakel, F.
Taylor, D. M.
Palavras-chave: Organic memory
Switching
Impedance spectroscopy
Oxide
Traps
Data: 2008
Editora: Elsevier
Citação: GOMES, HL; BENVENHO, ARV; DE LEEUW, DM; COLLE, M; STALLINGA, P; VERBAKEL, F; TAYLOR, DM. Switching in polymeric resistance random-access memories (RRAMS), ORGANIC ELECTRONICS, 9, 1, 119-128, 2008.
Resumo: Resistive switching in aluminum-polymer-based diodes has been investigated using small signal impedance measurements. It is shown that switching is a two-step process. In the first step, the device remains highly resistive but the low frequency capacitance increases by orders of magnitude. In the second step, resistive switching takes place. A tentative model is presented that can account for the observed behavior. The impedance analysis shows that the device does not behave homogenously over the entire electrode area and only a fraction of the device area gives rise to switching.
Peer review: yes
URI: http://hdl.handle.net/10400.1/3273
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2007.10.002
ISSN: 1566-1199
Versão do Editor: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1566119907001449
Aparece nas colecções:FCT2-Artigos (em revistas ou actas indexadas)

Ficheiros deste registo:
Ficheiro Descrição TamanhoFormato 
switching_organic_gomes.pdf323,43 kBAdobe PDFVer/Abrir    Acesso Restrito. Solicitar cópia ao autor!


FacebookTwitterDeliciousLinkedInDiggGoogle BookmarksMySpace
Formato BibTex MendeleyEndnote Degois 

Todos os registos no repositório estão protegidos por leis de copyright, com todos os direitos reservados.