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Título: Resistive switching in nanostructured thin films
Autor: Silva, H. G.
Gomes, Henrique L.
Pogorelov, Y. G.
Stallinga, Peter
De Leeuw, Dago M.
Araújo, J. P.
Sousa, J. B.
Meskers, S. C. J.
Kakazei, G. N.
Cardoso, S.
Freitas, P. P.
Data: 2009
Editora: American Institute of Physics (AIP)
Citação: Silva, H. G.; Gomes, H. L.; Pogorelov, Yu. G.; Stallinga, P.; De Leeuw, D. M.; Araujo, J. P.; Sousa, J. B.; Meskers, S. C. J.; Kakazei, G. N.; Cardoso, S.; Freitas, P. P. Resistive switching in nanostructured thin films, Applied Physics Letters, 94, 20, 202107-202107, 2009.
Resumo: Planar capacitor structures based on granular films composed of nanometric ferromagnetic grains embedded in an insulating Al2O3 matrix can switch between a high-conductance and a low-conductance state. The switching properties are induced by a forming process. The ON/OFF resistance ratio is as high as 104 under an electrical field of only 15 kV/m. This resistive switching is accompanied by a capacitive switching between two well-defined voltage-independent states, a behavior that is not readily explained by the filamentary type of conduction.
Peer review: yes
URI: http://hdl.handle.net/10400.1/3319
DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3134484
ISSN: 0003-6951
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