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- Diversity and specificity of the marine sponge microbiome as inspected by next generation sequencingPublication . Soares, André Rodrigues; Costa, Rodrigo da Silva; Reis, Margarida P.Sponges are early-branching metazoans whose hosted microbial communities are currently seen as highly fruitful sources of microbial ecological, evolutionary and metabolic novelties.
- Thermally stimulated currents on oxide based TFTsPublication . Cabrita, Fábio Emanuel Sousa; Gomes, Henrique L.Óxidos amorfos semiconductores têm assumido um papel de liderança para aplicações em Transístores de Filme Fino (TFTs). Este tipo de transístores tem aplicações em ecrãs planos que usam Díodos Emissores de Luz (LEDs). Os TFTs controlam a activação de cada pixel luminoso. Em teoria os óxidos semiconductores podem ser fabricados em substratos de grandes dimensões, e eventualmente num futuro próximo, em substratos flexíveis de baixo custo, como o plástico e o papel. Esta possibilidade torna esta tecnologia um competidor direto com a electrónica orgânica, em particular onde o desempenho e o custo são um requisito essencial. Esta dissertação apresenta a caracterização eléctrica de um conjunto de Transístores de Efeito de Campo (FET) com base em filme finos de óxidos amorfos. Apresenta os métodos de fabrico, os materiais usados, estrutura física, modo de funcionamento e as características eléctricas. TFTs com base em óxidos semiconductores sofrem de um conjunto de problemas que afectam o seu desempenho. Uma das instabilidades é a alteração das propriedades eléctricas quando expostos à luz. Este problema é tanto mais grave já que umas das aplicações dos TFTs é justamente em ecrãs. O objectivo principal desta dissertação é identificar a origem física da instabilidade à luz. Com este objectivo usou-se um conjunto de técnicas eléctricas desenhadas para obter informação sobre os estados electrónicos que são induzidos quando o TFT é exposto à luz. Um das técnicas usadas foi o método das Correntes Termo Estimuladas (TSC). O óxido semiconductor em estudo foi o Zinc Tin Oxide (ZTO). Os resultados obtidos permitiram concluir que a luz induz um estado electrónico no semiconductor. Este estado electrónico comporta-se como um dopante e aumenta a condutividade eléctrica do material. As TSCs permitiram ainda identificar que este dopante esta energeticamente localizado a 0.14 eV da banda de condução do semicondutor. O estado induzido pela luz é muito mais raso que o estado responsável pela condução eléctrica normal, quando o TFT não é exposto à luz. TFTs não expostos à luz mostram um processo de condução termicamente ativado mas com uma energia de activação de 0.22 eV. Os estados electrónicos induzidos pela luz tem um tempo de vida de algumas horas. Este tempo de vida é suficientemente longo para considerar a possibilidade de usar este efeito em foto-sensores do tipo Charge-Coupled Devices (CCD) ou em memórias ópticas. Desta forma um efeito que é prejudicial pode ser convertido numa aplicação prática.
- Light-induced effects on oxide based thin film transistorsPublication . Cardoso, André Lança; Gomes, Henrique L.Este trabalho incidiu sobre a análise elétrica dos transístores com base em óxidos semicondutores. Esta é uma área emergente e tecnologicamente relevante. Numa primeira fase a dissertação aborda com detalhe, os aspetos essenciais dos transístores com base em óxido semiconductor: Discute-se a sua origem, estrutura, os métodos de fabrico e as aplicações. Depois desta introdução, os efeitos da exposição à luz nas propriedades elétricas dos transístores são apresentados e discutidos em detalhe. Foram estudados transístores preparados através de uma solução líquida de ureia. Este processo de fabrico torna possível imprimir ou depositar o semicondutor em substratos flexíveis e de baixo custo, abrindo um conjunto de novas oportunidades para tecnologia eletrónica com base em óxidos amorfos semicondutores. Até recentemente esta possibilidade de imprimir eletrónica era apenas possível com transístores orgânicos. Os problemas relacionados com a exposição de luz em transístores de óxidos amorfos tem sido estudados na literatura e atribuídos a interação de cargas elétricas com defeitos no semiconductor. Este tipo de defeito é conhecido por lacunas de oxigénio. Estes defeitos eletrónicos foto-induzidos afetam a performance do transístor e modificam temporariamente os seus parâmetros, nomeadamente a mobilidade de efeito de campo, a tensão de arranque, a condutividade elétrica, as correntes de fuga e a estabilidade operacional. Os resultados obtidos nesta dissertação mostram que a exposição prolongada à luz com energia igual ou superior ao hiato do ZTO induzem estados dopantes duradouros. Estes estados dopantes estão localizados aproximadamente a 0.14 eV do limite da banda de condução. É proposto que as espécies químicas responsáveis pelos estados induzidos pela luz, sejam os espaços não ocupados do oxigénio ionizado. Porém, mais experiências são precisas para provar esta proposta. A iluminação afeta também a estabilidade operacional do transístor. Transístores submetidos à iluminação sofre de uma rápida variação da tensão de arranque. Transístores fabricados usando ureia são mais instáveis do que que transístores fabricados usando técnicas de sublimação térmica. Estas diferenças de comportamento são atribuídas à presença de defeitos eletricamente ativos. Sugere-se que estes defeitos estão localizados na interface entre o dielétrico e semicondutor. Estudos da corrente que flui no transístor em função da temperatura revelam um comportamento anómalo. Foram detetadas dois tipos de anomalias uma devido aos estado induzidos pela luz e outra causada pela presença de uma quantidade residual de água na superfície do dielétrico.